特許
J-GLOBAL ID：200903051570897879
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281302
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135333
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 不要なPN接合が形成されない太陽電池の製造方法を提供する。【構成】 P型基板21の受光面にスピンフローによってドーパント液22を塗布するに際して、裏面における周辺部にチタン酸を含むマスク液23を同時に塗布して、裏面の周辺部にのみマスク液塗布膜23を形成する。以後、n+層24(PN接合),反射防止膜27,裏面銀電極28,アルミ電極29,表面銀電極31を順次形成する。こうすることによって、P型基板21の受光面にn+層24を形成する際に、マスク液塗布膜23が形成されている領域にn+層は形成されない。したがって、P型基板21の全面に亙ってPN接合が形成されず、不要なn+層を除去する工程を省略して製造コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板における一面にPN接合を形成し、他面に互いに電気的に接続された裏面銀電極とアルミ電極とを順次形成し、上記一面におけるPN接合上に表面銀電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記半導体基板における上記一面にドーパント液を塗布する一方、上記他面にPN接合の形成を防止するマスク材を塗布する工程と、熱処理によって上記一面にPN接合を形成する工程と、マスク除去材による処理によって上記他面に形成されたマスク材を除去する工程を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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