特許

J-GLOBAL ID：200903051571592125

半導体発光装置

発明者： 紺野 邦明 ,  武沢 初男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299212
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109887
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】半導体発光素子からの光取り出し効率が改善された半導体発光装置を提供する。【解決手段】リードと、前記リードの上に設けられた半導体発光素子と、を備え、前記リードのうちで、前記半導体発光素子から放出される光の晒される部分の少なくとも一部の表面には、第1の金属層が設けられ、前記リードのうちで、前記半導体発光素子から放出される光に晒されない部分の少なくとも一部の表面には、前記半導体発光素子から放出される光に対する反射率が前記第1の金属層よりも小なる第2の金属層が設けられてなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リードと、 前記リードの上に設けられた半導体発光素子と、 を備え、 前記リードのうちで、前記半導体発光素子から放出される光に晒される部分の少なくとも一部の表面には、第1の金属層が設けられ、 前記リードのうちで、前記半導体発光素子から放出される光に晒されない部分の少なくとも一部の表面には、前記半導体発光素子から放出される光に対する反射率が前記第1の金属層よりも小なる第2の金属層が設けられてなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041FF11 ,  5F041FF12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-186230   出願人：豊田合成株式会社