特許

J-GLOBAL ID：200903051574179539

2粒子分布を持った直接窒化法による低熱伝導窒化珪素焼結体とその製造方法

発明者： 見持田 崇 ,  寺田 好晴 ,  堀見 和広 ,  加藤 芳基 ,  島ノ上 誠司 ,  岩田 美佐男 ,  久田 栄一 ,  宮田 洋
出願人/特許権者： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド
代理人 (1件)： 加茂 裕邦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-309669
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【構成】平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリコン粉末80〜95重量%及び平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン粉末5〜20重量%の混合金属シリコンを含む原料を窒素雰囲気中で温度1390°C〜1500°Cに加熱することにより得られた低熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体及びその製造方法。【効果】粒度分布の異なる二種類の金属シリコン粉末を混合してなる二粒子分布の金属シリコン原料を使用することにより、成形時における密充填を可能とするとともに、焼成時の窒化を十分に促進することができ、これにより低熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

平均粒径が10〜30μmの粗大金属シリコン粉末80〜95重量%及び平均粒径が1〜10μmの微細金属シリコン粉末5〜20重量%の混合金属シリコンを含む原料を窒素雰囲気中で温度1390°C〜1500°Cに加熱することにより得られた反応焼結による低熱伝導性で高強度の窒化珪素焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/626 ,  C04B 35/591 ,  C04B 35/584

FI (6件)：

C04B 35/58 102 Q ,  C04B 35/58 102 W ,  C04B 35/58 102 A ,  C04B 35/58 102 B ,  C04B 35/58 102 E ,  C04B 35/58 102 G