特許

J-GLOBAL ID：200903051582868866

高周波スイッチング電源用薄膜トランスおよび高周波スイッチング電源用薄膜インダクタ

発明者： 三野 正人 ,  谷内 利明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168069
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013249
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 高周波スイッチング電源用の薄膜トランスおよび薄膜インダクタを使用するに際して、小形・薄形化を実現し、高周波特性を向上させる。【構成】 基板10としてSi基板を使用し、半導体プロセス技術により基板10に高周波スイッチング電源用のMOSFET:A1を作り付け、絶縁層12bを介したのち、薄膜形成技術を用いて薄膜トランスを作製する。そして、この薄膜トランスの接続端17h〜17kとMOSFET:A1相互の接続には、基板10上の表面配線および各絶縁層に形成したスルーホールを用いて行う。【効果】 ワイヤ類による配線がなくなり、MOSFETと薄膜トランスからなる素子構成が大幅に小形・薄形化できると同時に、配線の最短化により、抵抗・容量が低減され、高周波特性が改善できる。さらに、ノイズの低減,効率改善が達成できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのスイッチング素子を形成した半導体基板上に絶縁層を介して形成され、前記絶縁層を通る接続手段を介して前記スイッチング素子の少なくとも1つに1次巻線が接続されていることを特徴とする高周波スイッチング電源用薄膜トランス。

IPC (2件)：

H01F 31/00 ,  H01F 37/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-181961
  
• 特開昭62-088354
  
• 特開平2-271564
  
• 特開昭51-098990