転写マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231748
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057330
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】1つのアライメントマークを用いて支柱を形成し、支柱により形成される小領域内の所定の位置に精度良くパターンを形成することが可能な転写マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。【解決手段】支持シリコン基板1上に、アライメントマーク形成用の開口を有するエッチング用マスク5を形成し、エッチング用マスクに設けられたパターン形成用開口パターン4に合わせて、支持シリコン基板、酸化シリコン層2をエッチングしてシリコンメンブレン3aを形成する。続いてシリコンメンブレンに開口アライメントマーク7を形成し、それを用いて支持シリコン基板上に支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたドライエッチング用マスク9を形成し、マスクに設けられた開口パターン8に合わせて支持シリコン層をドライエッチングする。

請求項（抜粋）：

支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるSOI基板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上に、アライメントマーク形成用の開口を有するエッチング用マスクを形成する工程と、前記エッチング用マスクに設けられたパターン形成用開口パターンに合わせて、前記支持シリコン基板、前記酸化シリコン層をエッチングしてアライメントマーク形成用シリコンメンブレンを形成する工程と、前記アライメントマーク形成用シリコンメンブレンに開口アライメントマークを形成する工程と、前記開口アライメントマークを用いて支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたドライエッチング用マスクを形成する工程と、前記マスクに設けられた開口パターンに合わせて前記支持シリコン層をドライエッチングする工程と、を備えた転写マスクブランクスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 541 S , G03F 1/16 B

Fターム (12件)：

2H095BA08 , 2H095BB02 , 2H095BB14 , 2H095BB34 , 2H095BC28 , 2H095BD06 , 2H095BE03 , 5F056BD04 , 5F056CC08 , 5F056EA04 , 5F056FA05 , 5F056FA06

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