パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053188
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】基板表面に水素原子を付与する表面処理を行ない、エネルギー線を照射して、非照射領域上に選択的に金属膜を形成する。この金属膜をマスクとして下地表面をエッチングして所望のパターンを得る方法。選択堆積法を用いているので、微細加工が容易に行なえる。

請求項（抜粋）：

半導体基体表面に水素原子を付与する表面処理を行い、該表面の所望領域にエネルギー線を照射し、該領域以外の非照射領域上に選択的に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該半導体基体をエッチングすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , G03F 1/08 , H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (3件)

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