特許

J-GLOBAL ID：200903051587227770

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 西尾 仁 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176273
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027627
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】i層成膜時の基板温度を上げることでi層膜質の最適化とその評価を十分に行い、もって変換効率の向上と光劣化の低減を可能にする薄膜太陽電池およびその製造方法を提供すること。【構成】透光性基板上に、透明電極層、p型またはn型多結晶シリコン層、i型非晶質シリコン層、非晶質または微結晶と非晶質が混在したn型またはp型シリコン層、裏面電極層が、この順に積層された薄膜太陽電池で、多結晶シリコン層を、透明電極層上にドーパントを含む第1の非晶質シリコン層を形成した後、この第1の非晶質シリコン層よりも低濃度のドーパントを含む第2の非晶質シリコン層の形成と水素プラズマ処理とを繰り返して作製するか、または透明電極層上に形成した非晶質シリコン層に対して、エネルギー密度が40〜240mJ/cm2 の範囲のレーザー光を照射して作製すること。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、透明電極層、p型多結晶シリコン層、i型非晶質シリコン層、非晶質または微結晶と非晶質が混在したn型シリコン層、裏面電極層が、この順に積層された薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 V