半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057853
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256250
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造のLSIにおいて、出来うる限り少ないスペースで、特定の回路ブロックまたは特定の配線群に対して、配線間の結合容量の影響を低減させ、クロストークによる回路の誤動作を防止する。【解決手段】複数の層間コンタクトおよび環状の配線を、断面的には壁状に、平面的には環状に配置する。n層よりなる特定回路ブロックについてはn+1層目の配線層による平板状の蓋をする。n層目よりm層からなる特定の配線群に対しては、n-1層目およびn+m層目の配線層により上下に平板状の蓋をする。前述の配線およびコンタクトは全て基板電位を共通にする。【効果】従来の平板状の配線層による遮蔽に比べ、平面的に場所をとらない。ディープサブミクロンプロセスに特徴的な、配線側面の結合容量についても遮蔽が可能である。

請求項（抜粋）：

a)LSIチップ内において、n層の配線層に依って、特定の機能ブロックが構成されている場合、b)前記、特定の機能ブロック領域の外周には、同一基板PwellまたはNwellの中に形成された、ストッパー用の拡散層が環状に設けられ、c)前記機能ブロックを取り囲む様に形成された拡散層の上に、前記機能ブロックを取り囲むように、第1層目の配線層と前記拡散層とを接続する第1のコンタクトを環状に配置され、b)さらに前記の環状に配置された第1のコンタクトは、相互に第1層目の配線層によって環状に接続され、c)前記拡散層と同様に、前記の環状に配置された第1層目の配線層の上に、前記機能ブロックを取り囲むように、第2層目の配線層と前記第1層目の配線層とを接続する第2のコンタクトが環状に配置され、d)以下同様に、第n層目の配線層、およびn+1層目の配線層と第n層目の配線層とを接続する第nのコンタクトが環状に配置され、e)前記特定機能ブロックの上、n+1層目に、この特定機能ブロックを覆う第n+1層目の配線層が形成されて、構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/82 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/82 W , H01L 21/90 V

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