誘電体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322332
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144419
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】基体に薄膜堆積中、または堆積終了後、前記薄膜にエネルギービームをパルス状に照射することにより、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化して、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長い誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ホルダー1に設置された基体2上に、所望の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタターゲット3をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を堆積させる。誘電体薄膜堆積時、または堆積後に、エネルギービーム5を、シャッター6でチョッピングして照射する。これによりパルス状のエネルギービームの照射が小さく密なゲイン(grain)を生成し、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化でき、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長くできる。

請求項（抜粋）：

基体上に薄膜堆積中または堆積終了後、前記薄膜にパルス状のエネルギービームを照射することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9件)：

C23C 14/58 , H01L 21/471 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/203

FI (6件)：

C23C 14/58 C , H01L 21/471 , H01L 27/10 451 , H01L 21/203 S , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (48件)：

4K029BA50 , 4K029BC00 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F001AA17 , 5F001AG30 , 5F058BA11 , 5F058BB10 , 5F058BC01 , 5F058BC03 , 5F058BC10 , 5F058BC20 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BF46 , 5F058BF75 , 5F058BF76 , 5F058BF77 , 5F058BF80 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA14 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083PR33 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD27 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103LL14 , 5F103LL20 , 5F103PP03 , 5F103PP18 , 5F103PP19 , 5F103PP20 , 5F103RR05 , 5F103RR06 , 5F103RR10

前のページに戻る