特許

J-GLOBAL ID：200903051603900781

CVD装置

発明者： 長谷川 晋也 ,  水野 茂 ,  渡邊 和人 ,  高橋 信行 ,  田上 学 ,  吉村 孝憲 ,  佐長谷 肇
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337879
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 CVD装置において反応ガス利用効率を高くし、生産性と歩留まりを高くする。【構成】 反応容器11と、基板保持体13と、基板保持体を加熱する加熱装置34と、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給板12を備え、反応ガス供給板の基板対向面に同心状に設けられた少なくとも2つの円筒20,21 を備え、反応ガス供給板における各円筒の内側に位置する部分から反応ガスを供給するように構成される。反応ガス供給板と基板保持体に電力を供給する電力供給装置と、反応容器の上側と下側に配置された環状の磁石53,55 を設け、各磁石の対向する磁極部によってプラズマ空間を通る磁力線を生成する。

請求項（抜粋）：

反応容器と、前記反応容器内に設けられる基板保持手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段に対向して配置され、前記反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを備え、前記基板保持手段に配置された基板の表面に薄膜を形成するCVD装置において、前記反応ガス供給手段の基板対向面に同心状に設けられた少なくとも2つの筒体を備え、前記反応ガス供給手段における前記各筒体の内側に位置する部分から前記反応ガスを供給することを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C