特許

J-GLOBAL ID：200903051606113608

半導体記憶装置

発明者： 西 和義 ,  福島 哲之 ,  隅田 圭三 ,  松本 昭浩
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267392
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109275
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 従来と同じページ領域をアクセスでき、かつ同数のセンスアンプで同じアクセス時間でメモリセルアレイへのアクセス時のピーク電流を大幅に減少させる半導体記憶装置を提供する。【構成】 /RASを入力し、タイミング発生回路12でセンスアンプ駆動制御信号RSを発生させ、タイミング発生回路13に加え、センスアンプ駆動信号SA1またはSA2の一方を選択発生させ、センスアンプ4aまたは4bを駆動する。次に/CASを入力し、タイミング発生回路14でセンスアンプ駆動制御信号CSを発生させ、タイミング発生回路13に加え、センスアンプ駆動信号SA1またはSA2の残りの一方を発生させ、残りのセンスアンプ4aまたは4bを駆動する。

請求項（抜粋）：

行アドレスと列アドレスとを時分割で与える半導体記憶装置において、マトリックス状に配置されたメモリ素子により構成されたメモリセルアレイと、行アドレスにより指定された前記メモリセルアレイの1行のデータを増幅する複数個に分割されたセンスアンプと、前記複数個のセンスアンプを駆動する複数個のセンスアンプドライバと、列アドレスにより前記センスアンプからのデータを選択するためのカラムデコーダと、行アドレスと列アドレスの一部を同時に入力する入力手段と、前記複数個のセンスアンプドライバの一部を列アドレスの一部により選択し、列アドレス入力時に前記複数個のセンスアンプドライバの残りの一部を選択する選択手段とを有する半導体記憶装置。