高誘電体層を有する窒化アルミニウム多層配線基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：足立勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045957
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】それほど多層積層を行わなくても、高静電容量の基板が容易に得られる高誘電体層を有する窒化アルミニウム多層配線基板及びその製造方法を提供すること。【構成】多層配線基板1は、上基板層2とコンデンサ部4と下基板層5とが積層されたものである。上基板層2は、AlNからなる3枚の基板層2a〜2cが、中心部側が薄くなる様に周囲が階段状に積層されたものであり、各基板層2a〜2cの表面や内部には、導体層が形成されている。コンデンサ部4は、AlNに(比誘電率を高める)TiNが添加された2枚の高誘電体層3が積層されたものであり、コンデンサ部4の両側と両高誘電体層3の間とには、導体層が形成されている。下基板層5は、2枚のAlNからなる基板層から構成されている。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム多層配線基板に設けられた高誘電体層が、基材である窒化アルミニウムと、該窒化アルミニウムの焼結助剤と、IVa,Va,VIa族元素の単体,窒化物又は炭化物の1種以上と、から主として構成されることを特徴とする高誘電体層を有する窒化アルミニウム多層配線基板。

前のページに戻る