特許

J-GLOBAL ID：200903051610526623

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 佐々木 正義 ,  木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005860
出願日： 1992年06月20日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流を低減した特性の良好な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@絶縁膜13上に素子の活性層を形成した薄膜トランジスタ10において、該活性層14と絶縁膜13との界面に存在する界面準位密度を1×1011/cm2 以下にする。?A活性層ポリシリコン層の少なくともトランジスタ動作をする領域の表面、裏面及び側面の少なくともいずれかが、該活性層の酸化によって形成された酸化シリコンで被われている。?B絶縁膜上に形成した活性層ポリシリコン層を、トランジスタの活性領域の幅が1μm以下となるようにパターニングした後に、活性層ポリシリコン層を熱酸化することにより絶縁膜と活性層ポリシリコン層との界面に熱酸化膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に素子の活性層を形成した薄膜トランジスタにおいて、該活性層と絶縁膜との界面に存在する界面準位密度を1×1011/cm2 以下にしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-098775
  
• 特開平2-014578