特許
J-GLOBAL ID：200903051614065469
Hブリッジ回路における誤動作防止回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068537
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタのオフからオンへの切り換え時に電源・グランド間に貫通電流が発生することを防止する。【解決手段】 トランジスタ1の電源側接続ラインとゲートとの間にPチャネルMOSトランジスタ19を接続し、トランジスタ2のグランド側接続ラインとゲートとの間にNチャネルMOSトランジスタ20を接続し、トランジスタ19のゲートにバッファ8への信号24をゲート信号として、トランジスタ20のゲートにバッファ7への信号23をゲート信号として与える。これにより、トランジスタ2(1)のオフからオンへの切り換え時、トランジスタ19(20)を介して静電容量15(16)へ補助的に充電々流が供給され、トランジスタ1(2)へのゲート信号9(10)の変動が抑えられる。
請求項（抜粋）：
電源とグランド間に直列に接続された第1の上流側MOSトランジスタおよび第1の下流側MOSトランジスタと、同じく電源とグランド間に直列に接続された第2の上流側MOSトランジスタおよび第2の下流側MOSトランジスタと、前記第1の上流側MOSトランジスタと前記第1の下流側MOSトランジスタとの直列接続点と前記第2の上流側MOSトランジスタと前記第2の下流側MOSトランジスタとの直列接続点との間に接続された負荷とを備え、前記第1の上流側MOSトランジスタと前記第2の下流側MOSトランジスタとを対としてオンとすることにより前記負荷への第1の方向から第2の方向への電流路を形成し、前記第2の上流側MOSトランジスタと前記第1の下流側MOSトランジスタとを対としてオンとすることにより前記負荷への第2の方向から第1の方向への電流路を形成するHブリッジ回路において、前記第1の上流側MOSトランジスタのオフからオンへの切り換え時、前記第1の下流側MOSトランジスタのゲートとドレインとの間に寄生する静電容量へ補助的に充電々流を供給し、前記第1の下流側MOSトランジスタへのゲート信号の電位変動を抑える手段と、前記第1の下流側MOSトランジスタのオフからオンへの切り換え時、前記第1の上流側MOSトランジスタのゲートとドレインとの間に寄生する静電容量へ補助的に充電々流を供給し、前記第1の上流側MOSトランジスタへのゲート信号の電位変動を抑える手段と、前記第2の上流側MOSトランジスタのオフからオンへの切り換え時、前記第2の下流側MOSトランジスタのゲートとドレインとの間に寄生する静電容量へ補助的に充電々流を供給し、前記第2の下流側MOSトランジスタへのゲート信号の電位変動を抑える手段と、前記第2の下流側MOSトランジスタのオフからオンへの切り換え時、前記第2の上流側MOSトランジスタのゲートとドレインとの間に寄生する静電容量へ補助的に充電々流を供給し、前記第2の上流側MOSトランジスタへのゲート信号の電位変動を抑える手段とを備えたことを特徴とするHブリッジ回路における誤動作防止回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 17/16 L
, H03K 17/687 E
