特許

J-GLOBAL ID：200903051617377623

半導体光集積素子及びそれを用いた光通信用モジュール並びに光通信システムとその製造方法

発明者： 畠山 大 ,  玉貫 岳正
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049102
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上にパターニングされた一対の誘電体ストライプマスクのマスク空隙部に、有機金属気相化学成長法(MOVPE) により選択的に結晶成長する半導体光素子作製方法(選択MOVPE )において、素子作製の自由度を拡げ、より高性能な素子を容易に作製することが可能な技術を提供する。【解決手段】 選択MOVPE 技術を用いた光集積素子作製において、あらかじめ素子全体の導波路形成領域を規定する第一のマスク材質802と、これと異なる材質で各機能部の位置を規定する第二のマスク材質803とにより基板804上への結晶成長を行ない、かつ前記マスク材質の選択エッチングの繰り返しにより、って活性層108,コア層112等からなる複数の機能部(受動光導波路部301,光機能部801)を自己整合的に形成し、複雑な光集積素子の高性能化を極めて簡易な方法で歩留まりよく実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にパターニングされた成長阻止マスクのマスク開口部に有機金属気相成長法により半導体層を選択的に形成する複数の工程によってバンドギャップエネルギーの異なる複数の半導体導波層を形成することにより、複数の光機能部からなる半導体光集積素子を製造する方法において、前記成長阻止マスクとして少なくとも一つの材質による第一の成長阻止マスクと、前記第一の成長阻止マスクとは異なる材質による第二の成長阻止マスクを利用し、前記第一の成長阻止マスクのマスク開口部に前記半導体導波層を形成する際に、前記第二の成長阻止マスクで前記第一の成長阻止マスクのマスク開口部を局所的に覆い、或いは覆わない状態で前記複数の半導体導波層を形成することを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  G02B 6/13 ,  H01L 27/15 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/15 C ,  G02B 6/12 M ,  H04B 9/00 W

Fターム (32件)：

2H047AA04 ,  2H047AA05 ,  2H047AA12 ,  2H047AA13 ,  2H047AA15 ,  2H047BB12 ,  2H047CC05 ,  2H047DD04 ,  2H047EE06 ,  2H047EE24 ,  2H047GG02 ,  2H047GG07 ,  2H047HH08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DC51 ,  5F045HA14 ,  5K002AA06 ,  5K002BA02 ,  5K002BA06 ,  5K002BA07