特許

J-GLOBAL ID：200903051620777977

シリコン酸化膜の作製方法

発明者： 中西 俊郎 ,  佐藤 泰久 ,  奥野 昌樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086271
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、高生産性を維持しつつ、酸素空位や水素結合の少ない酸化膜を作製する技術を提供することである。【構成】 本発明のシリコン酸化膜の作製方法は、酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、シリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、反応管内にオゾンを含むガスを導入し、所定の圧力にする工程と、シリコンウエハを所定の温度に加熱し、表面を酸化する酸化工程とを含む。好ましくは前記所定の圧力は、大気圧以下である。

請求項（抜粋）：

酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、酸化性雰囲気中でシリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、反応管内にオゾンを含むガスを導入し、所定の圧力にする工程と、シリコンウエハを所定の温度に加熱し、表面を酸化する酸化工程とを含むシリコン酸化膜の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-066126
  
• 特開昭63-041028
  
• 特開平3-134153
  
• 特開昭53-098779
  
• 特開平2-260638