特許
J-GLOBAL ID：200903051622116706
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246662
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101と、活性層104と、活性層104を挟む一対のクラッド層103、105を備えた半導体レーザである。さらに、共振器方向には、発光領域と可飽和吸収領域があり、可飽和吸収領域には、活性層と同時の成長により形成された可飽和吸収層104sがある。可飽和吸収層104sはp型ドーパントが高濃度にドープされていることにより、光吸収によるキャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られる。、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。
請求項（抜粋）：
活性層と、前記活性層は挟むクラッド層と、共振器方向の一部に形成した可飽和吸収層とを備え、自励発振特性を有する半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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半導体レーザ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-115183
出願人：三洋電機株式会社
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双安定半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-238323
出願人：富士通株式会社
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特開昭58-159349
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