特許

J-GLOBAL ID：200903051625256339

厚膜パターン形成方法

発明者： 西村 祐行 ,  浜口 卓也
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-128896
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335243
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】基板との密着後の離型性に優れ、気泡が入り難く、転写欠陥が発生し難く、寸法変化が無くて転写後の形状精度に優れた厚膜パターンを基板上に安価に歩留り良く高精度で形成する方法を提供する。【解決手段】目的パターンの反転形状たる凹部を表面に設けた凹型を回転体表面に曲面状に保持せしめた後、前記凹部にパターン形成材料を充填し、次いで、前記回転体に保持された前記凹型に基板を当接させながら前記回転体を回転させ、前記パターン形成材料を前記基板に転写することを特徴とする厚膜パターン形成方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

目的パターンの反転形状たる凹部を表面に設けた凹型を回転体表面に曲面状に保持せしめた後、前記凹部にパターン形成材料を充填し、次いで、前記回転体に保持された前記凹型に基板を当接させながら前記回転体を回転させ、前記パターン形成材料を前記基板に転写することを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (4件)：

H01J9/02 ,  B41M1/10 ,  H01J11/02 ,  H01L21/027

FI (5件)：

H01J9/02 F ,  B41M1/10 ,  H01J11/02 B ,  H01L21/30 564Z ,  H01L21/30 502D

Fターム (23件)：

2H113AA01 ,  2H113BA03 ,  2H113BB09 ,  2H113BB22 ,  2H113BC12 ,  2H113CA17 ,  2H113CA21 ,  5C027AA09 ,  5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GB03 ,  5C040GB14 ,  5C040GC19 ,  5C040GF02 ,  5C040GF19 ,  5C040JA19 ,  5C040JA20 ,  5C040KA16 ,  5C040MA24 ,  5C040MA26 ,  5F046AA28 ,  5F046JA01 ,  5F046JA20