特許
J-GLOBAL ID：200903051628610168
アルミ系金属膜のパターニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130751
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のアルミ系の金属膜を所望の形状にパターニングするに当たって、工程数を減らし、歩留りの向上、スループットの改善を図る。【構成】 絶縁基板1の上面に形成されたアルミ膜2の上にホトレジスト3を塗布し、該ホトレジスト3をガラスマスク4を用いて所定形状に露光し、露光後のホトレジストを、1ppm〜1000ppmの塩素イオンを含有する現像液(TMAH)にて現像しつつ、該現像液にて下地側のアルミ膜2をエッチングする。TMAH現像液がホトレジスト3の現像液として機能すると共に、アルミ膜2のエッチング液としても機能するので、ホトレジストの現像工程と該レジストを用いたエッチング工程が同一装置内で同一工程にて行なうことができる。
請求項（抜粋）：
アルミ系金属膜の上にホトレジストを塗布し、該ホトレジストを所定形状に露光し、露光後のホトレジストを1ppm〜1000ppmの塩素イオンを含有する現像液にて現像しつつ、該現像液にて下地側のアルミ系金属膜をエッチングすることを特徴とするアルミ系金属膜のパターニング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3213
, G03F 7/32
, H01L 21/027
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
H01L 21/88 C
, H01L 21/88 N
, H01L 21/30 569 E
, H01L 29/78 311 G
