パワーモジュール

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：波多野久 , 関口俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-171176
公開番号（公開出願番号）：特開2009-280494
出願日： 2009年07月22日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。【解決手段】厚さ1.5mm以下の窒化けい素焼結体表面に幅が1μm以上のマイクロクラックがなく、幅が1μm未満のサブミクロンクラックが単位面積100μm2当たりに0〜2個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が420nA以下、熱伝導率が50W/m・K以上、3点曲げ強度が500MPa以上、残留炭素含有量が500ppm以下である窒化けい素セラミックス基板2に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板2は、粒界相中における結晶化合物相の割合が20%以上であり、MgをMgOに換算して0.5〜3.0質量%含有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

厚さ1.5mm以下の窒化けい素焼結体表面に幅が1μm以上のマイクロクラックがなく、幅が1μm未満のサブミクロンクラックが単位面積100μm2当たりに0〜2個である窒化けい素焼結体から成り、温度25°C,湿度70%の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に1.5Kv-100Hzの交流電圧を印加したときの電流リーク値が420nA以下であり、熱伝導率が50W/m・K以上であり、3点曲げ強度が500MPa以上であり、残留炭素含有量が500ppm以下である窒化けい素セラミックス基板に金属回路板を設けると共に半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、上記窒化けい素セラミックス基板は、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が20%以上であり、この窒化けい素セラミックス基板は、MgをMgOに換算して0.5〜3.0質量%含有することを特徴とするパワーモジュール。

IPC (8件)：

C04B 35/584 , C04B 41/88 , H05K 1/03 , H01L 23/15 , H01L 23/373 , H01L 23/36 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (9件)：

C04B35/58 102A , C04B35/58 102C , C04B35/58 102X , C04B41/88 Q , H05K1/03 610D , H01L23/14 C , H01L23/36 M , H01L23/36 C , H01L25/04 C

Fターム (45件)：

4G001BA06 , 4G001BA08 , 4G001BA09 , 4G001BA12 , 4G001BA13 , 4G001BA14 , 4G001BA24 , 4G001BA32 , 4G001BA71 , 4G001BA73 , 4G001BB06 , 4G001BB08 , 4G001BB09 , 4G001BB11 , 4G001BB12 , 4G001BB32 , 4G001BB67 , 4G001BB71 , 4G001BB73 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC17 , 4G001BC22 , 4G001BC23 , 4G001BC34 , 4G001BC52 , 4G001BC54 , 4G001BC55 , 4G001BC57 , 4G001BC72 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BD16 , 4G001BD23 , 4G001BD38 , 4G001BE26 , 4G001BE32 , 4G001BE33 , 4G001BE34 , 4G001BE35 , 5F136BB04 , 5F136DA13 , 5F136FA18 , 5F136FA82 , 5F136GA31

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