特許
J-GLOBAL ID：200903051631998088

めっき方法

発明者：
長井 瑞樹

長井 瑞樹 について

, 
三島 浩二

三島 浩二 について

, 
神田 裕之

神田 裕之 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について


代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-218080
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 例え高アスペスト比な凹部であっても、この凹部内に欠陥のない健全な導電材料からなる埋込み配線を形成でき、更に、基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のCMP加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにする。【解決手段】 カソード電極に接続される基板の表面とアノード電極との間に高抵抗構造体を配置し、前記カソード電極と前記アノード電極との間に一定電圧を印加しながら、前記基板と前記アノード電極との間をめっき液で満たし、前記カソード電極と前記アノード電極との間を流れる電流を一定に制御しながら前記基板の表面にめっき膜を成長させる。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
カソード電極に接続される基板の表面とアノード電極との間に高抵抗構造体を配置し、 前記カソード電極と前記アノード電極との間に電圧を印加しながら、前記基板と前記アノード電極との間をめっき液で満たし、 前記カソード電極と前記アノード電極との間を流れる電流を一定に制御しながら前記基板の表面にめっき膜を成長させることを特徴とするめっき方法。
IPC (3件)：
C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288
FI (3件)：
C25D7/12 ,  C25D21/12 A ,  H01L21/288 E
Fターム (20件)：
4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB04 ,  4K024CB08 ,  4K024CB11 ,  4K024CB18 ,  4K024DA10 ,  4K024DB07 ,  4K024DB10 ,  4M104BB04 ,  4M104DD09 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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