特許

J-GLOBAL ID：200903051632221508

シリコンウェーハの洗浄方法

発明者： 秋谷 秀夫 ,  桑野 修治 ,  松本 徹 ,  村岡 久志
出願人/特許権者： エヌティティ エレクトロニクス テクノロジー株式会社 ,  株式会社ピュアレックス ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349881
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216098
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【構成】半導体シリコンウェーハの洗浄方法であって、アルカリ・過酸化水素・水より成る洗浄液に、0.1乃至100ppm のコンプレクサン或いはそのカルボン酸基配位子を他の酸基で置換したキレート化剤を添加してシリコンウェーハの洗浄を行い、次いで1ppm 以上のフッ酸が添加された水を用いてリンスを行なうことを特徴とする。【効果】最小でも6槽の洗浄槽乃至リンス槽を必要としたRCA処理の洗浄システムに対し、基本的に僅か2槽で全洗浄システムを構成することができ、装置価格、装置所要面積、稼働経費の点ではるかに有利となる。

請求項（抜粋）：

アルカリ・過酸化水素・水より成る洗浄液に、0.1乃至100ppm のコンプレクサン或いはそのカルボン酸基配位子を他の酸基で置換したキレート化剤を添加してシリコンウェーハの洗浄を行い、次いで1ppm 以上のフッ酸が添加された水を用いてリンスを行なうことを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/38