特許

J-GLOBAL ID：200903051636169853

半導体装置の作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  大沼 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162703
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094757
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 結晶化助長金属元素を導入した後、熱アニールすることによって結晶化させた珪素膜にハロゲン化物を含む雰囲気中で、強光を照射することによって、短時間の光アニールをおこなう。あるいはハロゲン化雰囲気で珪素膜表面を熱的に、あるいは強光を照射することによって酸化させ、酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去する。この結果、珪素膜中のニッケルが除去される。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質珪素膜を形成する第1の工程と、前記非晶質珪素膜に結晶化を助長させる金属元素を導入する第2の工程と、前記非晶質珪素膜を加熱アニールによって結晶化させる第3の工程と、前記第3の工程によって結晶化した珪素膜に塩化物気体もしくはフッ化物気体を含む雰囲気中においてレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することより珪素膜中における前記金属元素濃度を低減する第4の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/26 L