特許
J-GLOBAL ID：200903051637826955

撮像装置

発明者：
井上 郁子

井上 郁子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-267227
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099626
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】撮像装置について、撮像領域からOB領域に入射する斜め光を遮断する。【解決手段】本発明の一態様に係る撮像装置1は、半導体基板12の撮像領域2に形成された光電変換手段と、半導体基板12の撮像領域2と周辺回路が形成される周辺回路領域4との間のオプティカルブラック領域3に形成されている黒基準観測用光電変換手段と、半導体基板12の撮像領域2及びオプティカルブラック領域3上に形成される絶縁膜17,20,23,26,29と、半導体基板12の面から絶縁膜17,20,23,26,29の表面まで絶縁膜の堆積方向についてコンタクト19,22,25,28,31及び配線18,21,24,27,30を連接して形成される遮光手段35とを具備する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の撮像領域に形成された光電変換手段と、 前記半導体基板の前記撮像領域と周辺回路が形成される周辺回路領域との間のオプティカルブラック領域に形成されている黒基準観測用光電変換手段と、 前記半導体基板の前記撮像領域及び前記オプティカルブラック領域上に形成される絶縁膜と、 前記半導体基板の面から前記絶縁膜の表面まで前記絶縁膜の堆積方向についてコンタクト及び配線を連接して形成される遮光手段と を具備する撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U
Fターム (19件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB14 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA09 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024CX13 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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