特許
J-GLOBAL ID：200903051641666474
薄膜多層配線基板及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100085
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307567
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明はストリップライン構造或いはマイクロストリップライン構造を有する薄膜多層配線基板に関し、高密度配線及びストリップライン構造或いはマイクロストリップライン構造を維持しつつ、積層数の低減を図り、また信頼性の高い薄膜コンデンサを内蔵させる。【構成】 基板21上に導電層と層間絶縁層とを交互に積層し、導電層間を相互に接続して作成された薄膜多層配線基板において、導電層のうち、電源層22と、電源層22と電気的に分離された下部グランド層23とが同じ基板21上に形成され、下部グランド層23上に形成された開口30を介して下部グランド層23と接続された上部グランド層26aと、上部グランド層26aと電気的に分離されたパッド層26とが最上層の層間絶縁層28c上に形成されてなる。
請求項（抜粋）：
基板上に導電層と層間絶縁層とを交互に積層し、前記導電層間を相互に接続して作成された薄膜多層配線基板において、前記導電層のうち、電源層と、前記電源層と電気的に分離されたグランド層とが同じ前記基板上に形成され、前記グランド層上に形成された開口を介して前記グランド層と接続された上部グランド層と、前記上部グランド層と電気的に分離されたパッド層とが最上層の前記層間絶縁層上に形成されてなることを特徴とする薄膜多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 27/04
, H01L 21/822
