特許

J-GLOBAL ID：200903051642599185

多層配線を有する半導体素子及びその製造方法

発明者： 原田 裕介
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153722
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023028
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 スルーホール径を大きくすることなく、埋め込み金属との接触面を広げることができ、接触抵抗の低い多層配線を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【構成】 下層配線層と上層配線層との間を埋め込み金属で接続する多層配線を有する半導体素子において、前記下層配線層と埋め込み金属との接触面23aがスルーホール径よりも大きい形状を有するようにした。

請求項（抜粋）：

下層配線層と上層配線層との間を埋め込み金属で接続する多層配線を有する半導体素子において、前記下層配線層と埋め込み金属との接触面がスルーホール径よりも大きい形状を有する多層配線を有する半導体素子。