特許
J-GLOBAL ID:200903051644741469
フェニルナフタレン誘導体の製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-308262
公開番号(公開出願番号):特開平6-135862
出願日: 1992年10月21日
公開日(公表日): 1994年05月17日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】一般式(1)〔R1はベンジルオキシ基またはアルキル基、NAPは2,6-ナフチレン基、Zはハロゲン原子または-OSO2CF3を表す〕と、一般式(2)〔R2はベンジルオキシ基またはアルキル基、AはF原子で置換されてもよい1,4-フェニレン基を表す〕とを金属触媒存在下に反応させる一般式(3)〔R1はベンジルオキシ基またはアルキル基〕のフェニルナフタレン誘導体の製造方法。【効果】収率良くフェニルナフタレン誘導体を合成できる。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)【化1】〔式中、R1は水素原子、シアノ基、フッ素原子、-CF3、-OCF3、ベンジルオキシ基または炭素数1〜18のアルキル基(該アルキル基は、フッ素原子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存在する1個の-CH2-または隣接していない2個の-CH2-は、-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCH2-もしくは-CH2O-により置換されていてもよい)を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表し、Zはハロゲン原子または-OSO2CF3を表す〕で示される化合物と、下記一般式(2)【化2】〔式中、R2は水素原子、フッ素原子、-CF3、-OCF3、ベンジルオキシ基または炭素数1〜18のアルキル基(該アルキル基は、フッ素原子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存在する1個の-CH2-または隣接していない2個の-CH2-は、-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-OCH2-もしくは-CH2O-により置換されていてもよい)を表し、Aは1〜2個のF原子で置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表す〕で示される化合物とを金属触媒存在下に反応させることからなる下記一般式(3)【化3】〔式中、R1は水素原子、シアノ基、フッ素原子、-CF3、-OCF3、ベンジルオキシ基または炭素数1〜18のアルキル基(該アルキル基は、フッ素原子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存在する1個の-CH2-または隣接していない2個の-CH2-は、-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCH2-もしくは-CH2O-により置換されていてもよい)を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表し、Aは1〜2個のF原子で置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、R2は水素原子、フッ素原子、-CF3、-OCF3、ベンジルオキシ基または炭素数1〜18のアルキル基(該アルキル基は、フッ素原子により置換されていてもよく、またこれらの基中に存在する1個の-CH2-または隣接していない2個の-CH2-は、-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-OCH2-もしくは-CH2O-により置換されていてもよい)を表す〕で示されるフェニルナフタレン誘導体の製造方法。
IPC (22件):
C07C 15/24
, C07C 1/32
, C07C 15/58
, C07C 17/26
, C07C 25/22
, C07C 25/24
, C07C 41/30
, C07C 43/20
, C07C 43/215
, C07C 43/225
, C07C 67/343
, C07C 69/157
, C07C 69/16
, C07C 69/24
, C07C 69/28
, C07C 69/63
, C07C 69/94
, C07C253/30
, C07C255/52
, C07C255/54
, C07C255/55
, C07B 61/00 300
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