特許
J-GLOBAL ID：200903051645130757
電力用半導体装置の冷却装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283677
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】複数個の平形半導体素子と冷却体とを交互に積層して構成した半導体素子スタックの冷却装置として、高い冷却性が得られ、しかも設置,保守面でも優れた効果を発揮する電力用半導体装置の冷却装置を提供する。【解決手段】複数個の平形半導体素子2と冷却体3とを交互に積層してなる半導体素子スタック1を気密容器5に封入した絶縁性の一次冷媒4の液相中に浸漬するとともに、その冷媒蒸気4aで満たされている気密容器内の上部気相空間に冷媒蒸気凝縮用の熱交換器6を収設し、該熱交換器と別置の放熱用熱交換器7との間で液体の二次冷媒9を循環送流することにより、通電に伴って発生する半導体素子の損失熱を、一次冷媒との間の沸騰熱伝達,二次冷媒との間の凝縮熱伝達を経て別置の放熱用熱交換より大気側に放熱する。
請求項（抜粋）：
複数個の平形半導体素子と冷却体とを交互に積層した半導体素子スタックを対象とした浸漬沸騰冷却方式による電力用半導体装置の冷却装置であって、前記半導体素子スタックを気密容器内に封入した絶縁性一次冷媒の液相中に浸漬するとともに、気密容器内の上部気相空間に一次冷媒の蒸気を凝縮させる熱交換器を収設し、該熱交換器と別置の放熱用熱交換器との間で液体の二次冷媒を循環送流することにより、半導体素子の損失熱を前記一次,二次冷媒を伝熱して放熱用熱交換器から大気側に放熱するよう構成したことを特徴とする電力用半導体装置の冷却装置。
FI (2件)：
H01L 23/46 A
, H01L 23/46 B
