化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144010
公開番号（公開出願番号）：特開2003-336033
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、エネルギー線に対する感度が高く、露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形状がT型を呈することがなく、基板近傍におけるパターン形成性に優れた、ArF露光用として好適な化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提供することである。【解決手段】下記一般式(1)で示されるスルホニウムカチオンと、下記一般式(2)で示されるスルホン酸アニオンとから構成される酸発生剤。一般式(1)【化1】(ただし、R1 は、ベンジル基などを表し、R2およびR3は、アルキル基などを表す。)一般式(2)R4SO3-(ただし、R4は、アルキル基などを表す。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホニウムカチオンと、下記一般式(2)で示されるスルホン酸アニオンとから構成される酸発生剤。一般式(1)【化1】(ただし、R1 は、ベンジル基、フェナシル基、アリル基、アルコキシル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アリールオキシ基、および、β位にオキソ基を有するC1〜C18の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アルキル基、から選ばれる基を表し、R2およびR3は、それぞれ独立に、C1〜C18の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アルキル基を表し、R1とR2、R1とR3、R2とR3は互いに共有結合によって環構造を形成していてもよく、また、R1〜R3は、それぞれフッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい。)一般式(2)R4SO3-(ただし、R4は、C3〜C18の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アルキル基を表し、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい。)

IPC (3件)：

C09K 3/00 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (3件)：

C09K 3/00 K , G03F 7/004 503 A , H01L 21/30 502 R

Fターム (16件)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17

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