特許

J-GLOBAL ID：200903051651894025

磁気メモリ装置及びその製造方法

発明者： 落合 隆夫 ,  梅原 慎二郎 ,  ▲芦▼田 裕 ,  佐藤 雅重 ,  清水 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151253
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324276
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】高集積化を容易に実現し得る磁気メモリ装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】基板10上に形成された線状の記録層70であって、磁壁の移動を規制する複数の規制領域52が所定の間隔で形成され、複数の規制領域52間の領域が複数の記録ビット72となる記録層70を有し、記録層は、第1の記録層部分46と第2の記録層部分68とを含み、第2の記録層部分は、第1の記録層部分の上方に位置しており、第2の記録層部分の一方の端部と第1の記録層部分の一方の端部とが互いに接続されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された線状の記録層であって、磁壁の移動を規制する複数の規制領域が所定の間隔で形成され、前記複数の規制領域間の領域が複数の記録ビットとなる記録層を有し、 前記記録層は、第1の記録層部分と第2の記録層部分とを含み、前記第2の記録層部分は、前記第1の記録層部分の上方に位置しており、前記第2の記録層部分の一方の端部と前記第1の記録層部分の一方の端部とが互いに接続されている ことを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112

Fターム (23件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD22 ,  4M119EE13 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,834,005号明細書