特許

J-GLOBAL ID：200903051652367134

窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 小河 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-147174
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349595
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】長寿命な窒化物半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザダイオードのチップと、該チップの一方の面に形成されたp型電極101と、該チップの他方の面に形成されたn型電極120と、p型電極101面に少なくとも金属膜102とハンダ103を介して接合されたサブマウント105とを備え、p型電極101及び金属膜102からなる金属層は、チップに接する層から順に、少なくとも第1層、第2層、第3層、第4層を有し、ハンダは第5層であり、第1層は、Pd、Ru、Rh、Os、及びIrのうち少なくとも1種類以上を含み、第2層は、Moであり、第3層は、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、及びIrのうち少なくとも1種類以上を含み、第4層は、Auであり、第5層は、Sn、Ag、In、及びPbのうち少なくとも1種類以上を含むものとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体レーザダイオードのチップと、該チップの一方の面に形成されたp型電極と、該チップの他方の面に形成されたn型電極と、前記p型電極面に少なくとも金属膜とハンダを介して接合されたマウント部材とを備えた窒化物半導体レーザ装置であって、 前記p型電極及び前記金属膜からなる金属層は、前記チップに接する層から順に、少なくとも第1層、第2層、第3層、第4層を有し、前記ハンダは第5層であり、 第1層は、Pd、Ru、Rh、Os、及びIrのうち少なくとも1種類以上を含み、 第2層は、Moであり、 第3層は、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、及びIrのうち少なくとも1種類以上を含み、 第4層は、Auであり、 第5層は、Sn、Ag、In、及びPbのうち少なくとも1種類以上を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L21/52 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01S5/042 612 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/52 A ,  H01S5/323 610

Fターム (32件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F047AA19 ,  5F047BA06 ,  5F047CA08 ,  5F047CB07 ,  5F073CA11 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073DA34 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-064981
  
• III族窒化物系化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-159779   出願人：シャープ株式会社