特許

J-GLOBAL ID：200903051660599656

半導体集積回路装置

発明者： 千葉 真 ,  嵯峨 良平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092884
公開番号（公開出願番号）：特開平8-289463
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 比較的簡単な回路構成でもって、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか否かの2値判定を行う温度検出回路の精度および再現性を高める。【構成】 互いに異なる温度特性を有する第1,第2の2つの定電流源を形成し、第1の定電流源が発生する第1の電流と第2の定電流源が発生する第2の電流の差分電流の方向により半導体温度が一定温度を超えたか否かの2値判定を行わせる。【効果】 プロセス・バラツキによる電流の絶対値変化は第1,第2の定電流源にそれぞれ同じように現れて、両電流の差分電流の方向は、上記バラツキにかかわらず、同一温度点にて変化するようになる。

請求項（抜粋）：

半導体温度が一定温度を超えたか否かの2値判定を行う温度検出回路を内蔵する半導体集積回路装置であって、互いに異なる温度特性を有する第1,第2の2つの定電流源と、第1の定電流源が発生する第1の電流と第2の定電流源が発生する第2の電流の差分電流の方向により上記半導体温度が一定温度を超えたか否かの2値判定を行う検出回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H02H 5/04 ,  H02H 7/20

FI (2件)：

H02H 5/04 H ,  H02H 7/20 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 過熱検出回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-239269   出願人：日本電気株式会社