特許

J-GLOBAL ID：200903051662114498

固体撮像装置

発明者： 中柴 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323975
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145444
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 遮光膜となる金属膜と、金属配線間に生じる寄生容量を低減して撮像感度を向上させる【解決手段】 光遮光膜となる金属膜112の開口部を介して入射した光により発生した電子・正孔のうち、電子はフォトゲート102下の空乏層中に蓄積される。次に、リセット用MOSFET104の制御パルスΦRをローレベルとし、制御パルスΦPGにローレベルの電圧を印加すると、フォトゲート102下の電子は転送用MOSFET103下に形成された電位障壁を乗り越えて浮遊拡散層206に転送される。浮遊拡散層206の電位は転送された電子の数に応じて変動し、その電位変化はソースフォロワアンプ105のゲート電極と浮遊拡散層206を接続する金属配線113を介して外部回路に出力される。金属膜112にはソースフォロワアンプ105のソース電位が供給されているので、金属膜112の電位変動は浮遊拡散層206の電位変動とほぼ等しくなり、寄生容量が低減される。

請求項（抜粋）：

光電変換部で発生した電荷を浮遊拡散層部へ転送し、その電位変化を出力するXYアドレス型固体撮像装置において、前記光電変換部以外の領域を遮光する遮光膜の電位を、前記浮遊拡散層部の電位変動に応じて変動させる手段を備えていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 G ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-161923   出願人：三洋電機株式会社