特許

J-GLOBAL ID：200903051669078594

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 野村 慶一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216499
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033470
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体層を平坦化して、C-V特性を向上させることを課題とする。【解決手段】 光信号を電気信号に変換する光電変換部と、変換された前記電気信号又は該電気信号に基づく信号の読み出しをオン/オフするスイッチ部とを同一工程で製造する光電変換装置の製造方法において、前記光電変換部及び前記スイッチ部に各々備えられている半導体層のうち、前記スイッチ部の半導体層を薄くする第1工程と、薄くした前記半導体層の表面付近を酸化する第2工程と、前記半導体層の酸化した部分を除去する第3工程とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光信号を電気信号に変換する光電変換部と、変換された前記電気信号又は該電気信号に基づく信号の読み出しをオン/オフするスイッチ部とを同一工程で製造する光電変換装置の製造方法において、前記光電変換部及び前記スイッチ部に各々備えられている半導体層のうち、前記スイッチ部の半導体層を薄くする第1工程と、薄くした前記半導体層の表面付近を酸化する第2工程と、前記半導体層の酸化した部分を除去する第3工程とを備えたことを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (7件)：

H01L 21/308 G ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (56件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB13 ,  4M118FB18 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX06 ,  5C024HX35 ,  5C024HX50 ,  5F004AA14 ,  5F004DA01 ,  5F004DB01 ,  5F004FA07 ,  5F004FA08 ,  5F043AA11 ,  5F043BB27 ,  5F043DD01 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10 ,  5F049MA02 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA15 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049RA06 ,  5F110AA18 ,  5F110BB09 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ19