特許

J-GLOBAL ID：200903051672431033

露光方法

発明者： 馬込 伸貴
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339235
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177947
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 従来のレチクル及び照明光学系を用いて、更に投影光学系を使用する場合にはこの投影光学系の結像特性を更に向上することなく、より微細なパターンを基板上に形成する。【解決手段】 ネガタイプのフォトレジストが塗布されたウエハ上にライン・アンド・スペースパターンのピッチPの投影像を露光し(ステップ105)、そのウエハとその投影像とをP/4だけずらして重ね露光を行った後(ステップ106)、現像及びエッチングを行う。その後、再びウエハ上にネガタイプのフォトレジストを塗布して最初の露光位置からP/2ずれた位置でその投影像の対露光を行って(ステップ118,119)、現像及びエッチングを行うことによって、ウエハ上にピッチP/2のパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

マスク上に所定方向に所定ピッチで形成された周期的なパターンに対応するパターンを感光基板上に転写露光する露光方法であって、前記マスクの周期的なパターンを前記感光基板上に転写した後、前記マスクと前記感光基板とを最終的に転写すべきパターンの線幅に対応した量だけ前記所定方向に相対的にずらして前記周期的なパターンを前記感光基板上に重ねて転写する対露光を行う第1の露光工程と、前記マスクと前記感光基板とを前記所定方向に相対的に前記所定ピッチよりも小さい量だけずらした後、前記対露光を繰り返す第2の露光工程と、を有することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 B