特許

J-GLOBAL ID：200903051680468957

絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

発明者： 片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145529
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340225
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】ボロン原子の突き抜け現象を確実に防止でき、且つ、pチャネル型MOS半導体素子の電流駆動能力の低下が生じるといった問題の発生を回避でき、しかも、極薄の絶縁膜の形成を可能にする絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】絶縁膜の形成方法は、(イ)半導体層10表面に酸化膜12を形成する酸化工程と、(ロ)窒素系ガスを、加熱した触媒に接触させた後、酸化膜12に照射することによって、酸化膜12表面に窒化膜13を形成する窒化工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)半導体層表面に酸化膜を形成する酸化工程と、(ロ)窒素系ガスを、加熱した触媒に接触させた後、酸化膜に照射することによって、酸化膜表面に窒化膜を形成する窒化工程、から成ることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G