特許
J-GLOBAL ID：200903051685076437
イオン注入工程の3次元シミュレーション方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235515
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079656
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】多層膜構造の不純物濃度分布を求めるイオン注入計算を含む3次元シミュレーションの計算時間が膨大である。【解決手段】半導体装置に対し、細かな多数のメッシュからなる立方体状の3次元計算領域を設定する工程(ST1)と、3次元計算領域内で半導体に対してほぼ水平に膜が重なった構造の平坦領域を求める工程(ST2)と、平坦領域に属するメッシュ点の分布を、深さ方向の1次元計算により求める工程(ST3)とを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体装置のイオン注入工程後の不純物濃度分布を予測する3次元シミュレーション方法であって、
前記半導体装置に対し、細かな多数のメッシュからなる立方体状の3次元計算領域を設定する工程と、
3次元計算領域内で半導体に対してほぼ水平に膜が重なった構造の平坦領域を求める工程と、
前記平坦領域に属するメッシュ点の分布を、深さ方向の1次元計算により求める工程と、
を含む3次元シミュレーション方法。
IPC (4件)：
H01L21/265
, G06F17/60
, G06F19/00
, H01L21/00
H01L21/265 Z
, G06F17/60 106
, G06F19/00 110
, H01L21/00
