特許
J-GLOBAL ID：200903051687672967
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049316
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029544
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 MOSトランジスタの形態の非揮発性メモリーに用いられるトンネル酸化物層の厚さを従来より著しく厚くすることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。【構成】 Asのような重いイオンを高エネルギーで比較的薄い多結晶シリコン層(16)中に注入することにより、トンネル効果を強化する。イオン注入中に、Si原子は多結晶シリコン層(16)からトンネル酸化物層(9) 中に注入されるので、酸化物層(9) はSiエンリッチになり、この結果トンネル特性に大きな変化が生じる。ゲート酸化物層(12)と同じ酸化物をトンネル酸化物層(9) に使用することができる。【効果】 トンネル酸化物の厚さを従来の8〜10nmから20nm程度にすることができる。重要な利点は、プロセスにおいて必要なトンネル酸化物層とホトレジスト層との直接接触が回避されるので、トンネル酸化物層の性質がホトレジスト層によって全くあるいは少なくともほとんど損なわれることがないことである。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート電極を有するMOSトランジスタの形態の非揮発性メモリー素子が半導体本体の表面に設けられており、前記トランジスタはその下の半導体本体の表面領域からシリコンエンリッチトンネル酸化物層によって分離されている半導体デバイスを製造するに当り、前記トンネル酸化物層の上にシリコン層を堆積させ、次いで該シリコン層の所定の厚さにおいて、イオン注入によってシリコン原子が前記シリコン層から前記トンネル酸化物層中に導入されるようなエネルギーを使用して、前記シリコン層中に比較的重いイオンを注入することにより、前記トンネル酸化物層をシリコンエンリッチにすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
