特許

J-GLOBAL ID：200903051690915978

プログラマブルコンダクタランダムアクセスメモリ及びその書込み方法

発明者： グレン ハッシュ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  冨田 和幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-555520
公開番号（公開出願番号）：特表2005-514719
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

本発明は、向上した書込み回路と、プログラマブルコンダクタランダムアクセスメモリ(PCRAM)セルの書込み方法とを提供する。方法は、ビットラインへの第1電圧のプリチャージ及びカリコゲナイドメモリ素子の第1端子への第2電圧の印加を具える。カリコゲナイドメモリ素子の第2端子を選択的にビット線に結合して、予め設定された抵抗状態を素子に書き込むのに十分なメモリ素子の電圧を生成する。第1電圧は、互いに相違する二つの抵抗状態をメモリ素子にプログラムするために互いに相違する二つの値をとる。

請求項（抜粋）：

メモリ素子に書込みを行う方法であって、 第1電圧値をコンダクタにプリチャージし、その第1電圧は、前記コンダクタに関連したキャパシタンスによって前記コンダクタに保持され、 前記コンダクタの前記第1電圧と第2電圧との間でプログラマブルコンダクタメモリ素子の結合を行って、予め設定された抵抗状態を前記メモリ素子に書き込むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (3件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083KA19 ,  5F083LA12