特許

J-GLOBAL ID：200903051691858234

半導体装置の製造方法

発明者： 石田 芳弘 ,  高橋 紳一
出願人/特許権者： 長瀬産業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303915
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】薄型ICチップの裏面金属付ICチップの安価な製造方法を提供する。【解決手段】予め、ICチップ1切断面にウエハ7裏面よりハーフダイシングにより分離溝23を形成し、次にスパッタ法、蒸着法又は無電解メッキ法により裏面金属2を析出させることで、反ることのない安価な製造法を提供できた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ICチップの裏面に金属を析出させる方法において、少なくともウエハの厚みを薄くするウエハ薄型化工程と、前記ウエハの裏面の前記ICチップの分離線上に前記ウエハの厚みを一部残して分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記ウエハの裏面の裏面金属を析出させる裏面金属析出工程と、前記分離線に沿って前記ウエハより個々のICチップに分離するICチップ分離工程とを包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/301 ,  C23C18/16 ,  H01L21/28

FI (3件)：

H01L21/78 Q ,  C23C18/16 B ,  H01L21/28 301R

Fターム (14件)：

4K022AA05 ,  4K022AA31 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4M104AA01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53