クロスカレント防止のための構造を有する半導体構成素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-540893
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522540
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】本発明は、第1導電形のサブストレート(1)を有する半導体構成素子であって、前記サブストレートの表面(15)に、第2導電形の複数の別個のウエル(10)が第2の導電形の比較的に高濃度でドーピングされた周辺層(5)と共に配されており、前記の複数の別個のウエル(10)は、pn接合部により分離されている形式の当該の半導体構成素子に関する。本発明の課題とするところは、半導体構成素子におけるクロスカレントの防止のため半導体構造を提供することである。本発明の半導体構成素子の特徴とするところは、ウエル(10)のうちの少なくとも1つが、第1導電型の絶縁分離-ウエル(2,6)により完全に取り囲まれており、ここで、絶縁分離-ウエル(10)のドーピングがサブストレート(1)のドーピングより高いことを特徴とする半導体構成素子。

請求項（抜粋）：

第1導電形のサブストレート(1)を有する半導体構成素子であって、前記サブストレートの表面(15)に、第2導電形の複数の別個のウエル(10)が第2の導電形の比較的に高濃度でドーピングされた周辺層(5)と共に配されており、前記の複数の別個のウエル(10)は、pn接合部により分離されている形式の当該の半導体構成素子において、ウエル(10)のうちの少なくとも1つが、第1導電型の絶縁分離-ウエル(2,6)により完全に取り囲まれており、ここで、絶縁分離-ウエル(10)のドーピングがサブストレート(1)のドーピングより高い濃度を有することを特徴とする半導体構成素子。

IPC (2件)：

H01L 27/08 331 , H01L 21/761

FI (2件)：

H01L 27/08 331 D , H01L 21/76 J

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