特許
J-GLOBAL ID：200903051697747787
ウェハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 守弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-162317
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基板上に薄膜を順次積層して最上部に透明な加工保護膜を形成した後、所定厚さに平面研削した磁気ヘッドを多数設けたウェハに関し、磁気ヘッドの各工程と同じ工程で表面が数μm矩形以上の平面を持つデプスモニタを形成し、当該デプスモニタ上で保護膜の厚さDを光干渉計で直接に測定し、これをもとに平面研削する寸法dを簡単に求めて保護膜を精度良好に平面研削することを目的とする。【解決手段】 基板上の所定位置にデプスモニタを設けて磁気ヘッドを構成する薄膜を順次積層する工程と同じ工程でデプスモニタの部分にも薄膜を順次積層し、最上部の全面に透明の保護膜を形成した後、デプスモニタ上で保護膜を光干渉計で測定した厚さDをもとに保護膜が所定厚さdとなる(D-d)だけ平面研削したことを特徴とするウェハである。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜を順次積層して最上部に透明な加工保護膜を形成した後、所定厚さに平面研削した磁気ヘッドを多数設けたウェハにおいて、基板上の所定位置にデプスモニタを設けて上記磁気ヘッドを構成する薄膜を順次積層する工程と同じ工程で当該デプスモニタの部分にも薄膜を順次積層し、最上部の全面に上記透明の保護膜を形成した後、デプスモニタ上で当該保護膜を光干渉計で測定した厚さDをもとに保護膜が所定厚さdとなる(D-d)だけ平面研削したことを特徴とするウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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