特許

J-GLOBAL ID：200903051697764312

半導体装置の検査方法

発明者： 小池 正博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397118
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197704
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】検査測定工程のTATを短縮することができる半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】半導体装置の回路パターンデータ、検査測定の対象にしようとしている、半導体装置を構成する膜の組成データおよび光学定数、および、半導体ウェハ上のショットレイアウトデータなど、製造する半導体装置に係るデータを有するホストコンピュータ10と、例えば膜厚測定機20、欠陥検査機21、電気特性測定機22、段差測定機23および抵抗測定機24など、半導体製造工程に係る検査測定装置とをネットワーク接続しておき、上記のホストコンピュータにおいて、例えば製造工程の開始前など、半導体装置の検査測定工程の開始前に、例えば半導体装置の製造ロット毎に、上記の検査測定の条件を設定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の検査装置を用いて当該半導体装置の検査測定を行う半導体装置の検査方法であって、上記半導体装置に係るデータを有するホストコンピュータと、半導体製造工程に係る検査測定装置とをネットワーク接続し、上記ホストコンピュータにおいて、上記半導体装置の検査測定工程開始前に検査測定の条件を設定する半導体装置の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28

FI (3件)：

H01L 21/66 Z ,  G01R 31/26 Z ,  G01R 31/28 H

Fターム (15件)：

2G003AA10 ,  2G003AH01 ,  2G003AH04 ,  2G132AB01 ,  2G132AD15 ,  2G132AE16 ,  2G132AE18 ,  2G132AE23 ,  2G132AL09 ,  4M106AA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA10 ,  4M106CA39 ,  4M106CA48 ,  4M106DJ40