特許

J-GLOBAL ID：200903051702967057

三族窒化物半導体の製造方法

発明者： 松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208620
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055366
出願日： 1995年08月16日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】AlN、GaN、InN等の三族窒化物半導体の選択エッチングを行う。【解決手段】Au、Pt等化学的に安定な金属膜のパターンを形成し、その膜をマスクとして、湿式エッチングを行う。特にAu、Pt等は、n型のAlN、GaN、InNに対してオーミック接触が得られるので、マスクとして使った金属膜を電極としても利用する。

請求項（抜粋）：

三族窒化物半導体上に、これらの半導体のエッチング液に対して安定な金属膜のパターンを形成し、それをマスクとして選択エッチングすることを特徴とする三族窒化物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/28 E ,  H01L 29/80 B