特許
J-GLOBAL ID：200903051703128261
低抵抗コネクタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125433
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明は、電極ピツチの小さい基板との低ピッチ接続が可能で、体積抵抗率が小さく、多くの電流を流すことのできる低抵抗コネクタ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明になる低抵抗コネクタ1は、絶縁性エラストマ層2、Ag粉末を含有してなる体積抵抗率が2×10-4〜5×10-4Ωcmである低抵抗導電層3、接着剤層4の順で繰り返し接着積層されてなることを特徴としている。この低抵抗コネクタ1の硬度は、前記絶縁性エラストマ層2と低抵抗導電層3の硬化後の硬度値を50〜80°Hの範囲内とするのが好ましい。
請求項（抜粋）：
絶縁性エラストマ層上に、Ag粉末を含有してなる体積抵抗率が2×10-4〜5×10-4Ωcmである低抵抗導電層を設け、接着剤を介して該絶縁性エラストマ層と該低抵抗導電層とが交互多重となるように積層してなることを特徴とする低抵抗コネクタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01R 43/00 H
, H01R 11/01 A
