半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岸田正行 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265690
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111588
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】被露光基板から発生するガスにより投影光学系が汚染される。【解決手段】投影光学系6からの露光光15により半導体基板10を露光する半導体製造用露光装置において、投影光学系と基板との間に、露光光を通過させるためのスリット状開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部材14を設ける。

請求項（抜粋）：

投影光学系からの露光光により半導体基板を露光する半導体製造用露光装置において、前記投影光学系と前記基板との間に、露光光を通過させるためのスリット状開口を有する遮蔽部材を設けたことを特徴とする半導体製造用露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 515 E , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 516 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

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