強誘電体薄膜素子の製造方法ならびに強誘電体薄膜素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093922
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299573
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】ゾルゲル法をもちいて回路基板上に強誘電体薄膜を成膜するとき、結晶配向性を制御することができないため、良好な強誘電特性が得られないことが課題であった。【解決手段】強誘電体薄膜を予め別の単結晶基板上にその表面構造を利用して配向制御しながら成膜し、これを回路基板上に転写する。

請求項（抜粋）：

1)CMOS回路基板上に下電極を成膜する工程、2)前記下電極上に強誘電体薄膜を成膜する工程、3)前記強誘電体薄膜上に上電極を成膜する工程、4)前記1)工程から3)工程で得られた積層構造をパターニングすることによって強誘電体薄膜キャパシタを形成する工程、5)前記CMOS回路基板上の素子と前記強誘電体薄膜キャパシタとを電気的に接続する工程よりなる強誘電体薄膜素子の製造方法において、前記2)工程が、A)単結晶基板上に強誘電体薄膜を成膜する工程、B)前記強誘電体薄膜上に錫薄膜を成膜後この表面をハロゲン化処理する工程、C)前記下電極と前記錫薄膜を接合後、前記単結晶基板を剥離することによって前記強誘電体薄膜を前記下電極上に転写する工程よりなることを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 27/10 444 B

Fターム (20件)：

5F058BA11 , 5F058BB05 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR23 , 5F083PR40

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