特許
J-GLOBAL ID：200903051735059822
光電変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 穣平
, 志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-126474
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335582
出願日： 2003年05月01日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】光電変換装置の開口率の上昇を可能とする。【解決手段】半導体基体に2次元状に画素が配列されて設けられ、画素を選択するトランジスタのゲートに接続される選択線101、画素を初期化するトランジスタのゲートに接続される初期化線102及び画素の光電変換素子からの信号を転送するトランジスタのゲートに接続される転送線103のうちの少なくとも二線は、多結晶半導体を含む第一の導電体と、第一の導電体上に絶縁層を介して形成される多結晶半導体を含む第二の導電体との積層構成で、二線が半導体基体の面の鉛直方向から見て少なくとも一部が重なり合うように設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、半導体基体に、光電変換素子、該光電変換素子からの信号を転送する転送手段、転送された信号を増幅する増幅手段、該増幅手段から出力信号を出力するための選択手段と、該増幅手段に転送された信号を初期化する初期化手段とを備えた画素を2次元状に配置し、一配列方向に配された複数の画素は共通の出力線に接続され、また該一配列方向と異なる他の配列方向に配された複数の画素の前記選択手段、前記初期化手段、前記転送手段はそれぞれ共通の選択線、共通の初期化線、共通の転送線に接続されている光電変換装置において、
前記選択線、前記初期化線及び前記転送線のうちの少なくとも二線は、多結晶半導体を含む第一の導電体と、該第一の導電体上に絶縁層を介して形成される多結晶半導体を含む第二の導電体との積層構成で、該二線が前記半導体基体の面の鉛直方向から見て少なくとも一部が重なり合うように設けられていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118FA06
, 4M118FA42
, 4M118FA50
, 4M118GB03
, 4M118GD03
, 4M118GD07
, 5C024BX01
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GY31
