特許

J-GLOBAL ID：200903051741653779

パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

発明者： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201611
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033984
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 露光波長限界を超えるパターン形成を可能とするパターン形成方法を得る。【解決手段】 第1のネガ型レジストパターン6aに、塩基性の有機膜を設け、熱処理して、第1のネガ型レジストパターン6aの表面部へ塩基性成分を拡散し、剥離液により有機膜と第1のネガ型レジストパターン6aの表面部を溶解除去して第2のネガ型レジストパターン8を形成する。

請求項（抜粋）：

ネガ型レジスト膜を露光し現像して第1のネガ型レジストパターンを形成する第1の工程、この第1のネガ型レジストパターンの表面に有機膜を設ける第2の工程、並びに上記第1のネガ型レジストパターンの一部と上記有機膜を除去して第2のネガ型レジストパターンを形成する第3の工程を施すパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 572 Z

Fターム (19件)：

2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025EA05 ,  2H025FA09 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096CA14 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA04 ,  5F046MA02 ,  5F046MA18