特許

J-GLOBAL ID：200903051742195197

面発光半導体レーザとその製造方法

発明者： 大坪 孝二
出願人/特許権者： 技術研究組合新情報処理開発機構 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037920
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236865
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザとその製造方法に関し、電極の形成が容易で、簡単な方法によって電流狭窄構造を形成することができる垂直共振器型の面発光半導体レーザとその製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板1の上に、n-GaAs層21 とn-InGaP層22 からなるn型多層膜反射鏡2を形成し、このn型多層膜反射鏡2の上にエッチングマスクを形成し、このマスクを用いてn型多層膜反射鏡を構成するn-GaAs層21 、n-InGaP層22 の1層以上をエッチングしてメサ構造を形成し、このメサ構造の頂上以外の表面にp型の不純物を拡散して電流狭窄層4を形成し、このマスクを除去した後、このメサ構造の上にn-AlGaAsクラッド層51 、ノンドープの活性層6、p-AlGaAsクラッド層72 、p-GaAs層81 とp-AlAs層82 からなるp型半導体多層膜反射鏡8を積層して面発光半導体レーザを製造する。

請求項（抜粋）：

メサ構造を有する一導電型の半導体多層膜反射鏡と、該メサ構造の少なくとも頂上を含む領域上に形成された活性層を含む面発光半導体レーザにおいて、該メサ構造の頂上以外の表面に電流狭窄層が設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G09F 13/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G09F 13/20 A ,  H01L 33/00 A